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HIT:單晶PERC之后的下一個光伏電池新賽道?

2018-05-21 15:33:36 大云網  點擊量: 評論 (0)
目前看來,HIT是最有競爭力的下一代光伏電池技術。HIT叫法繁多,沒有形成統一名稱,各個廠商各自為戰,明明是一樣的技術路線,各家公司卻偏要叫不同的名字,HIT、HJT、HDT、SHJ其實指的是同一個東西,都是指異質結光伏電池。

目前看來,HIT是最有競爭力的下一代光伏電池技術。HIT叫法繁多,沒有形成統一名稱,各個廠商各自為戰,明明是一樣的技術路線,各家公司卻偏要叫不同的名字,HIT、HJT、HDT、SHJ其實指的是同一個東西,都是指異質結光伏電池。現在正處于HIT產業推廣的初期,消費者還沒有對HIT的優勢形成清晰認知,各個廠家卻又要標新立異起不同的名字,使得下游電站業主傻傻地分不清楚,增加認知難度,不利產業推廣,所以此處我呼吁國內重要HIT技術路線上的廠家,盡快統一路線名稱,為大家理解HIT發電優勢掃清認知障礙。由于為本文寫作提供大量幫助的易治凱先生習慣于把異質結電池叫做HIT,所以本文使用HIT這個名字。

HIT專利從2015年過期,現在各家發展HIT已無專利方面的障礙,核心障礙在于如何把成本做低,HIT成本方面的障礙主要來自1、設備未完成國產化單位產能投資額度較高;2、產量較小導致N型硅片、關鍵輔材價格較高。第二個問題是一個先有雞還是先有蛋的問題,所以HIT真正想獲得量產突破,必須實現關鍵設備的國產化突破并把單位產能的投資成本大幅降低。這些年我們國家在高精尖設備領域接連突破,我國的裝備制造業正在快速由大變強,這也是我對HIT技術路線如此有信心的原因所在。

一、看好HIT電池路線的原因

看好HIT技術路線是因為:

更高的效率潛力(目前最高25.6%,疊加IBC的效率記錄是26.63%)

更高的雙面率(理論雙面率可做到98%)

更大的降成本潛力(工藝步驟少、硅片薄片化潛力大)

更低的衰減(無P型組件常見的光致衰減現象)

更優秀的溫度系數(溫度系數為-0.258%,常規晶硅電池為-0.46%)

更適合與疊瓦技術相結合(HIT電池柔性不易隱裂,更適合)

下面我們逐條分析HIT電池的每一個點。

1、更高的效率潛力

HIT采用N型硅片具有較高的少子壽命,同時HIT采用特殊的非晶硅鈍化的對稱結構可以獲得較低的表面復合速率,這些特點是的HIT電池可以獲得很高的開路電壓(HIT電池開路電壓740mv、perc電池開路電壓660mv,引述自易治凱先生),最終效率潛力比目前P-perc電池片要高1.5~2%。實驗室效率記錄方面,P-perc電池目前最高實驗室效率最近由晶科能源取得23.95%;三洋則是HIT電池效率記錄的保持者,效率為25.6%。量產平均電池效率方面,目前國內領先的P-perc電池效率可做到21.7%,年底實現22%的效率水平;而以晉能科技為代表的HIT目前量產電池片效率為23.27%,年底有望實現24%的平均量產效率。

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2、更高的雙面率

HIT電池由于其獨特的雙面對稱結構使其更易于制作成雙面電池,目前雙面率在85%,而未來真正成熟產業化應用的時候,HIT雙面率有望達到95+%的水平,這就意味著未來某個不走心的安裝工人把HIT組件正反面安反了,其實際發電功率也不會有太大損失。P-perc方面目前隆基已經實現了82%的雙面率,這已經非常了不起的成績了,但是由于其特殊的背面開槽的結構,未來再把雙面率做高將會面臨越來越多的困難。

3、更大的降成本潛力

HIT電池雖然目前成本更高,但是未來降本的空間十分巨大,而且我認為在相關條件成熟時,HIT組件的成本甚至有潛力低于P-perc組件,這主要是由于第一:HIT電池加工溫度低(240度)所使用到的硅片有潛力做到更薄,HIT電池未來真正成熟之際,可使用100微米厚度的硅片;而P-perc繼續降低硅片厚度的空間十分有限,由于其背部的鋁背場溫度系數和硅片溫度系數不同,過薄的P型硅片容易產生隱裂,此外P型電池擴散工藝的加工溫度為800~900度,過薄的硅片容易在高溫下翹邊。第二:除了硅片薄化的降本空間更大以外,HIT的工藝步驟也更為簡便,全部生產流程的工藝步驟僅為四步;而晶科P-perc電池為了實現23.9%的轉化效率需要疊加多種工藝,工藝步驟在十步以上。

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HIT組件成本可以做到更低的第三個原因主要來自于效率更高帶來的封裝成本的降低上。目前一張60型組件的含稅封裝成為約為220元/片,封裝成本主要包含光伏玻璃、EVA膠膜、鋁框、背板等等,降本空間有限,成本較為剛性。所以三年后HIT電池真正爆發之際,我們假設封裝成本依舊為220元/片依舊合理。三年后HIT電池真正爆發之際P-perc組件功率有望達到330W,而HIT組件的功率有望達到360W,僅比較正面功率的情況下,HIT組件單瓦封裝成本比Perc組件低220÷330-220÷360=0.056,這就意味著未來HIT組件在單瓦封裝成本上可比perc組件低約6分錢。此處我們簡單總結一下,HIT組件未來得益于更薄的硅片、更少的加工步驟和更低的封裝成本,在克服設備環節的問題以后,單瓦成本有望更低。

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責任編輯:蔣桂云

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