關的研發，并且主要限于計算機仿真研究，這就導致了我國在IGBT設計和研發方面的人才奇缺。

破繭成長

因為國內企業在IGBT芯片設計、制造以及封裝各環節的技術和積累都比較少，短期內趕上國際水平不太現實，所以，提升進口替代產品的能力就成了國內企業首選方向，以價格優勢和本土優勢搶占市場份額，據了解，IGBT國產化器件相比國外企業成本節約15~20%，即使售價減少40%，國內企業依然擁有30%以上的毛利率。另外，國外企業產品定位大部分是工業應用領域大功率IGBT，而我國是世界上最主要的家電生產和消費國，加上小功率IGBT生產門檻較大功率低，所以，國內企業進入IGBT行業家電領域是最適合的切入點。“在過去2-3年中，國產IGBT特別是1200V 平面非穿通型和1200V 溝槽非穿通型，在消費電子市場有了突破。預計未來2-3年，將在600V以及1,700V甚至更高電壓的技術上有所突破。中大功率應用將會在未來3-5年內看到國產IGBT器件。”從華潤上華分立器件產品開發中心總經理吳宗憲回答可以看出，他對國產IGBT的發展前景充滿信心。

而智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及家電節能等本土市場，更為企業的技術突破，實現IGBT的替代創造了堅實的市場基礎。尤其是節能與新能源是國家發展新興科技產業的重點，而IGBT則是節能與新能源領域核心器件，所以IGBT產業化不僅僅是市場需求，同時也是國家發展的戰略需求。發改委于2010年3月19日下發紅頭文件：《國家發展改革委辦公廳關于組織實施2010年新型電力電子器件產業化專項的通知》，其專項重點明確了以IGBT為代表的芯片和器件的設計開發及產業化、功率模塊產業化。這說明國家對目前功率半導體國產化的現狀已有比較深刻的認識和危機意識。