電磁拓?fù)涞母拍钭钤缡窃诙兰o(jì)七十年代由Carl E. B~提出的，并與Tom K. Liu} Fred M. Tesche一起推導(dǎo)出了著名的BLT方程[[3](取三人姓氏的首字母命 名)，該方程被認(rèn)為是電磁拓?fù)淅碚摰幕ｋ姶磐負(fù)鋵W(xué)利用拓?fù)涞母拍顚⒁粋€復(fù)雜的電子系統(tǒng)進(jìn)行分層降解，從而降低整個系統(tǒng)分析的復(fù)雜性。其基本思想是將 研究對象空間分解成不同大小的區(qū)域，各個區(qū)域之間通過系統(tǒng)的拓?fù)鋱D相聯(lián)系， 從而把整個復(fù)雜的電磁禍合問題分解成相對獨(dú)立的簡單的電磁問題來解決。

目前國外美國法國等國在在電磁拓?fù)浞ǖ难芯考航?jīng)成型并逐步完善，己經(jīng)成 功應(yīng)用于多個項目，主要用來檢測導(dǎo)彈、飛機(jī)和裝甲車等武器系統(tǒng)在高功率電磁 場作用下的敏感性評估。而國內(nèi)對電磁拓?fù)浞ǖ难芯可刑幱谔剿骱驼J(rèn)識階段，因 為該項技術(shù)屬于軍事機(jī)密，能夠檢索和參考的資料非常有限，核心技術(shù)理論急需 逐步建立與完善。國內(nèi)做相關(guān)研究的，主要為國防科技大學(xué)，還有西安電子科技 大學(xué)等少數(shù)學(xué)者在進(jìn)行理論研究。

系統(tǒng)間電磁影響 考慮系統(tǒng)間的干擾問題，即需要對系統(tǒng)進(jìn)行電磁兼容預(yù)測。電磁兼容預(yù)測的 實質(zhì)是對電子系統(tǒng)的抗電磁干擾能力或電磁兼容性進(jìn)行預(yù)測。它旨在發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)中 不兼容的薄弱環(huán)節(jié)和評價系統(tǒng)的安全裕度，為系統(tǒng)的電磁兼容性設(shè)計及技術(shù)實現(xiàn) 提供科學(xué)、合理的依據(jù)。

它是實現(xiàn)系統(tǒng)電磁兼容性預(yù)測的必要步驟，是一種具有 較高的費(fèi)效比的工程技術(shù)手段。 為了對系統(tǒng)響應(yīng)進(jìn)行近似分析，拓?fù)涞母拍詈苤匾倪@個概念出發(fā)將一個 復(fù)雜的系統(tǒng)由入射場到終端響應(yīng)分割為一系列簡單的部分，每一部分都是可以獨(dú) 立進(jìn)行分析的，再將每一部分的分析結(jié)果結(jié)合起來構(gòu)成對整個系統(tǒng)的評估。

電磁拓?fù)涫欠治鱿到y(tǒng)內(nèi)部的EMI關(guān)系，電磁禍合式發(fā)生在系統(tǒng)之間的電磁能 量的關(guān)系。在進(jìn)行分析和設(shè)計時，分析外界藕合渠道，通常是可以用轉(zhuǎn)移函數(shù)計 算出外干擾源在各個拓?fù)涿嫔系捻憫?yīng)強(qiáng)度，稱為外界電磁場禍合。此時，面上的 孔縫、天線、內(nèi)部的電子器件等都被忽略掉。

對于一個復(fù)雜的電子系統(tǒng)，由于其具有不止一層電磁屏障表面，具有不同的 電磁屏蔽效能，因此其電磁禍合、投入和傳播的分析過程要反復(fù)進(jìn)行多次，直到 達(dá)到了系統(tǒng)分量等級。這個逼近或分析復(fù)雜系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的過程中允許把系統(tǒng)EMI過 程分解為一系列的簡單的中間過程。這一分析步驟可表示為所需要的模型。對于外部電磁干擾作用在單層屏蔽體系統(tǒng)的情形，可以用電磁藕合順序圖表示，如下 圖所示。

并不是所有的電磁兼容問題都包括外部干擾源。在屏蔽體內(nèi)部還有其他結(jié)構(gòu)， 在內(nèi)部也可能包含干擾源，此時仍可以應(yīng)用電磁拓?fù)涓拍睿珣?yīng)增加互禍的步驟。 圖2.2是處理內(nèi)部禍合機(jī)制的互禍合順序圖。其中包含了干擾源和被干擾設(shè)備或系 統(tǒng)之間的輻射禍合或傳導(dǎo)禍合的可能性。