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EES: 用于超高穩定性鉀離子存儲的零應變K0.6Mn1F2.7中空納米立方體

2018-08-15 14:48:45 新能源前線  點擊量: 評論 (0)
價格低廉的鈉離子和鉀離子電池應運而生。由于地殼中鉀的豐度較高并且K K+還原對的電勢相比于Na Na+更低等優勢,鉀離子電池(KIBs)在儲能領域里受到科研人員越來越多的關注。

EES: 用于超高穩定性鉀離子存儲的零應變K0.6Mn1F2.7中空納米立方體

引言

目前鋰離子電池已廣泛用于手機、電腦等小型電子設備,但是由于鋰資源分布不均,價格昂貴等原因使其難以應用于大型的儲能設備。因此,價格低廉的鈉離子和鉀離子電池應運而生。由于地殼中鉀的豐度較高并且K/K+還原對的電勢相比于Na/Na+更低等優勢,鉀離子電池(KIBs)在儲能領域里受到科研人員越來越多的關注。

鉀離子電池與鋰離子電池有著相似的“搖椅式”充放電原理。然而,鉀離子電池的發展仍然停留在初期階段,因為鉀離子的離子半徑比鋰離子的大,使得鉀離子在電極材料中的嵌入變得困難,從而造成了脫鉀和嵌鉀過程中的低容量、低倍率性能和短循環壽命。因此,研發出一種可以解決嵌鉀所引發體積膨脹的零應變材料具有重要意義。

成果簡介

近日,北京科技大學新材料技術研究院曲選輝課題組在Energy & Environmental Science(IF=30.067)上發表了題為“Zero-strain K0.6Mn1F2.7hollow nanocubes for ultrastable potassium ion storage”的論文,該工作報道了一種合成均勻中空KMnF-NCs的新方法,并通過控制刻蝕反應時間在晶體結構中創造缺陷與空位。由于K和F空位的存在,這個特殊結構可以容納由于鉀離子插入引起的體積膨脹,進而提高KIBs的容量、倍率性能和循環穩定性。同時,該研究表明KMnF-NCs的晶體結構缺陷對刻蝕反應具有重要影響。在可逆充放電過程中,該片層結構包覆的空心納米塊可以提供較大的比表面積并具有贗電容特性,進而使材料具有展現出高容量、高穩定性和優秀的倍率性能。在400 mA·g-1的大電流密度下循環10000圈仍可保持110 mAh·g-1的容量,容量保持率高達99%。除此之外,該工作通過原位XRD和DFT計算,證明了該材料在脫嵌K離子過程中的體積變化基本可以忽略,表明刻蝕后的KMnF-NCs可以作為一類新的具有良好循環穩定性的零應變KIBs負極材料。北京科技大學劉志偉博士和李平教授為該論文的第一作者,北京大學王偉博士為共同通訊作者。

圖文導讀

EES: 用于超高穩定性鉀離子存儲的零應變K0.6Mn1F2.7中空納米立方體

圖1. KMnF-NC結構的合成示意圖及微觀結構表征

(a) KMnF-NC結構合成示意圖

(b-e) 刻蝕時間分別為0 h, 0.25 h, 1 h ,2 h的TEM圖像

(f) 刻蝕2 h后KMnF-NC的FESEM圖像

(g) 刻蝕2 h后KMnF-NC的TEM圖像

(h) 刻蝕2 h后KMnF-NC的HRTEM圖像

(i) 刻蝕2 h后KMnF-NC的SAED圖譜

(j) 刻蝕后KMnF-NC的STEM圖像

(k-m) 刻蝕后KMnF-NC的mapping圖譜

EES: 用于超高穩定性鉀離子存儲的零應變K0.6Mn1F2.7中空納米立方體

圖2. KMnF-NC結構的物相表征及XPS表征

(a) KMnF-LE的XRD圖譜

(b) KMnF-LE的氮氣吸脫附曲線

(c) KMnF-LE的孔徑分布曲線

(e-f) KMnF-LE的XPS曲線

EES: 用于超高穩定性鉀離子存儲的零應變K0.6Mn1F2.7中空納米立方體

圖3. 刻蝕前后KMnF-NC的電化學性能

(a) KMnF-L的充放電曲線

(b) KMnF-LE的充放電曲線

(c) KMnF-L和KMnF-LE的循環性能

(d) KMnF-L和KMnF-LE的倍率性能

(e) 400 mA g-1 下KMnF-LE的長循環性能

EES: 用于超高穩定性鉀離子存儲的零應變K0.6Mn1F2.7中空納米立方體

圖4. 不同電流倍率下KMnF-L和KMnF-LE的嵌/脫鉀行為示意圖

(a) 低倍率下KMnF-L和KMnF-LE的嵌/脫鉀行為示意圖

(b) 高倍率下KMnF-L和KMnF-LE的嵌/脫鉀行為示意圖

EES: 用于超高穩定性鉀離子存儲的零應變K0.6Mn1F2.7中空納米立方體

圖5. 原位XRD表征和第一性原理計算模擬

(a) KMnF-LE首次充放電中不同電壓下的XRD譜圖

(b) KMnF3(K8Mn8F24)結構示意圖

(c) 一個鉀離子嵌入KMnF3(K9Mn8F24)示意圖

(d) 含有空位的KMnF3(K5Mn8F21)示意圖

(e) 三個鉀離子嵌入含有空位的KMnF3(K8Mn8F21)示意圖

(f) 四個鉀離子嵌入含有空位的KMnF3(K9Mn8F21)示意圖

(g) 六個鉀離子嵌入含有空位的KMnF3(K11Mn8F21)示意圖

小結

該研究通過控制刻蝕反應成功的合成了具有均一尺寸并含有缺陷的中空KMnF-NC納米結構。在充放電過程中,這種獨特的結構可以同時實現快速傳導離子和較高的導電性,具有低的電壓平臺和贗電容特性,故而展現出較高容量和良好的倍率性能。在400 mA·g-1的大電流密度下循環10000圈仍可保持110 mAh·g-1的容量,容量保持率高達99%。除此之外,該工作通過原位XRD和DFT計算,證明了該材料在脫嵌K離子過程中的體積變化基本可以忽略,表明刻蝕后的KMnF-LE可以作為一類新的具有良好循環穩定性的零應變KIBs負極材料。

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責任編輯:繼電保護

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